Osram steigert Lichtausbeute weißer und blauer High-Power-LED

Der gemeinhin als »Droop« bekannte, unerwünschte Rückgang der Effizienz bei einer Erhöhung der Stromdichte begrenzt derzeit die maximale Lichtausbeute von Indium- Gallium-Nitrid-basierten blauen und weißen Leuchtdioden (LED) und ist daher Gegenstand intensiver Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten weltweit. Ingenieure bei Osram Opto Semiconductors konnten diesen Effekt nun merklich reduzieren und damit die Effizienz der LED deutlich erhöhen. Unter Laborbedingungen wurde bei einer Stromdichte von 3 A/mm2 ein typischer Lichtstrom von 740 lm in einem QFN-LED-Gehäuse (Quad Flat No Lead) nachgewiesen – eine Verbesserung von etwa 7,5 Prozent gegenüber bisher typischen Werten (6200 K, Cx 0,319, Cy 0,323, Ein-Chip-Variante LDxyz). Bei niedrigeren Strömen von 0,35 A/mm2 beträgt der Vorteil der optimierten LED noch etwa 4 Prozent. „Wir haben die Epitaxie intensiv überarbeitet und verbessert und konnten so den Droop-Effekt deutlich verringern“, so Dr. Alexander Frey, Projektleiter des Regensburger Hightech-Unternehmens.

Die neuen Prozesse kommen in allen auf der UX:3-Chiptechnologie basierenden LED von Osram Opto Semiconductors zum Einsatz und wirken sich somit auch auf weitere High- Power-Produkte positiv aus. Die Ergebnisse werden nun Schritt für Schritt in das bestehende Produktportfolio integriert.

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